IRFP433 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFP433

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 75 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 450 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 21 nC

Tiempo de elevación (tr): 15 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 86 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFP433

IRFP433 Datasheet (PDF)

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PD - 97100BIRFP4332PbFPDP SWITCHFeaturesKey Parametersl Advanced Process TechnologyVDS min 250 Vl Key Parameters Optimized for PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch Applications VDS (Avalanche) typ. 300 Vl Low EPULSE Rating to Reduce PowermRDS(ON) typ. @ 10V 29 Dissipation in PDP Sustain, Energy RecoveryTJ max 175 C and Pass Switch Applicationsl Low QG for

0.2. irfp4332pbf.pdf Size:298K _infineon

0.3. irfp4332.pdf Size:242K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFP4332IIRFP4332FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)33mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Repetitive Peak Current Capability for Reliable OperationShort fall & Rise Times For Fast Swi

Otros transistores... IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFB4110 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A .

Liste

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