IRFP433 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFP433

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 75 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 450 V

Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de la puerta (Qg): 21 nC

Tiempo de subida (tr): 15 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 86 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2 Ohm

Paquete / Cubierta: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFP433

IRFP433 Datasheet (PDF)

0.1. Size:298K international rectifier
irfp4332pbf.pdf

PD - 97100BIRFP4332PbFPDP SWITCHFeaturesKey Parametersl Advanced Process TechnologyVDS min 250 Vl Key Parameters Optimized for PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch Applications VDS (Avalanche) typ. 300 Vl Low EPULSE Rating to Reduce PowermRDS(ON) typ. @ 10V 29 Dissipation in PDP Sustain, Energy RecoveryTJ max 175 C and Pass Switch Applicationsl Low QG for

0.2. Size:298K infineon
irfp4332pbf.pdf

0.3. Size:242K inchange semiconductor
irfp4332.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFP4332IIRFP4332FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)33mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Repetitive Peak Current Capability for Reliable OperationShort fall & Rise Times For Fast Swi

Otros transistores... IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP250 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A .

Liste

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