IRFP433 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFP433
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFP433

IRFP433 Datasheet (PDF)

0.1. Size:298K international rectifier
irfp4332pbf.pdf

PD - 97100BIRFP4332PbFPDP SWITCHFeaturesKey Parametersl Advanced Process TechnologyVDS min 250 Vl Key Parameters Optimized for PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch Applications VDS (Avalanche) typ. 300 Vl Low EPULSE Rating to Reduce PowermRDS(ON) typ. @ 10V 29 Dissipation in PDP Sustain, Energy RecoveryTJ max 175 C and Pass Switch Applicationsl Low QG for

0.2. Size:298K infineon
irfp4332pbf.pdf

0.3. Size:242K inchange semiconductor
irfp4332.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFP4332IIRFP4332FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)33mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Repetitive Peak Current Capability for Reliable OperationShort fall & Rise Times For Fast Swi

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Liste

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