IPI029N06N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPI029N06N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 980 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm

Encapsulados: TO-262

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IPI029N06N datasheet

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IPI029N06N

Type IPI029N06N OptiMOSTM Power-Transistor Features Product Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. VDS 60 V 100% avalanche tested RDS(on),max 2.9 mW Superior thermal resistance ID 100 A N-channel QOSS nC 65 Qualified according to JEDEC1) for target applications QG(0V..10V) nC 56 Pb-free lead plating; RoHS compliant Ha

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IPI029N06N

IPP028N08N3 G IPI028N08N3 G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 80 V DS N-channel, normal level R 2.8 m DS(on),max Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 100 A D Very low on-resistance R DS(on) previous engineering 175 C operating temperature sample codes IPP02CN08N Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified ac

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IPI029N06N

## ! ! # ! ! TM # A0 m D n) m x Q #4513I CG9D389>7 1>4 3?>F5BD5BC 1 D Q H35

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IPI029N06N

Type IPI020N06N OptiMOSTM Power-Transistor Features Product Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. VDS 60 V 100% avalanche tested RDS(on),max 2.0 mW Superior thermal resistance ID 120 A N-channel QOSS nC 119 Qualified according to JEDEC1) for target applications QG(0V..10V) nC 106 Pb-free lead plating; RoHS compliant

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