IPI029N06N. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IPI029N06N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
Тип корпуса: TO-262
Аналог (замена) для IPI029N06N
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPI029N06N даташит
ipi029n06n.pdf
Type IPI029N06N OptiMOSTM Power-Transistor Features Product Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. VDS 60 V 100% avalanche tested RDS(on),max 2.9 mW Superior thermal resistance ID 100 A N-channel QOSS nC 65 Qualified according to JEDEC1) for target applications QG(0V..10V) nC 56 Pb-free lead plating; RoHS compliant Ha
ipp028n08n3g ipi028n08n3g.pdf
IPP028N08N3 G IPI028N08N3 G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 80 V DS N-channel, normal level R 2.8 m DS(on),max Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 100 A D Very low on-resistance R DS(on) previous engineering 175 C operating temperature sample codes IPP02CN08N Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified ac
ipp023ne7n3g ipi023ne7n3g.pdf
## ! ! # ! ! TM # A0 m D n) m x Q #4513I CG9D389>7 1>4 3?>F5BD5BC 1 D Q H35
ipi020n06n.pdf
Type IPI020N06N OptiMOSTM Power-Transistor Features Product Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. VDS 60 V 100% avalanche tested RDS(on),max 2.0 mW Superior thermal resistance ID 120 A N-channel QOSS nC 119 Qualified according to JEDEC1) for target applications QG(0V..10V) nC 106 Pb-free lead plating; RoHS compliant
Другие IGBT... IPI65R099C6, IPI14N03LA, IPI12CN10NG, IPI100N06S3L-04, IPI09N03LA, IPI084N06L3G, IPI04N03LA, IPI04CN10N, K2611, IPI020N06N, IPF13N03LAG, IPF135N03LG, IPF050N03LG, IPDH6N03LAG, IPDH4N03LAG, IPD80R2K8CE, IPD80R1K4CE
History: FQB4P40TM | RD30HVF1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor








