IPF135N03LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPF135N03LG
Código: 135N03L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 4.8 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPF135N03LG
IPF135N03LG Datasheet (PDF)
ipf135n03lg.pdf
Type IPD135N03L G IPF135N03L GIPS135N03L G IPU135N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 13.5mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 30 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very
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Type IPD135N03L G IPF135N03L GIPS135N03L G IPU135N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 13.5mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 30 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very
ipd13n03lag ipf13n03lag ipu13n03lag.pdf
IPD13N03LA G IPF13N03LA GIPS13N03LA G IPU13N03LA GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 25 VDS Ideal for high-frequency dc/dc convertersR 12.8mDS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target applicationsI 30 AD N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance 175 C opera
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Liste
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