IPF135N03LG Todos los transistores

 

IPF135N03LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPF135N03LG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

IPF135N03LG Datasheet (PDF)

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IPF135N03LG

Type IPD135N03L G IPF135N03L GIPS135N03L G IPU135N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 13.5mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 30 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very

 ..2. Size:1397K  infineon
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IPF135N03LG

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IPF135N03LG

Type IPD135N03L G IPF135N03L GIPS135N03L G IPU135N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 13.5mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 30 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very

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IPF135N03LG

IPD13N03LA G IPF13N03LA GIPS13N03LA G IPU13N03LA GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 25 VDS Ideal for high-frequency dc/dc convertersR 12.8mDS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target applicationsI 30 AD N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance 175 C opera

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History: DMN2020LSN | SQ4532AEY | STP60NF06LFP | FDB0260N1007L | IRLI3803PBF | IMZ120R350M1H

 

 
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