IRFP448 Todos los transistores

 

IRFP448 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFP448

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 180 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 11 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 84 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.6 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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IRFP448 Datasheet (PDF)

1.1. irfp448.pdf Size:864K _international_rectifier

IRFP448
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PD - 94899 IRFP448PbF • Lead-Free 12/18/03 Document Number: 91229 www.vishay.com 1 IRFP448PbF Document Number: 91229 www.vishay.com 2 IRFP448PbF Document Number: 91229 www.vishay.com 3 IRFP448PbF Document Number: 91229 www.vishay.com 4 IRFP448PbF Document Number: 91229 www.vishay.com 5 IRFP448PbF Document Number: 91229 www.vishay.com 6 IRFP448PbF TO-247AC Package O

1.2. irfp448 sihfp448.pdf Size:1629K _vishay

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IRFP448, SiHFP448 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 500 Available • Repetitive Avalanche Rated RDS(on) (Ω)VGS = 10 V 0.60 RoHS* • Isolated Central Mounting Hole COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 84 • Fast Switching Qgs (nC) 8.4 • Ease of Paralleling Qgd (nC) 50 • Simple Drive Requirements Configuration Single • Compli

 1.3. irfp448pbf.pdf Size:1663K _vishay

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IRFP448, SiHFP448 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 500 Available • Repetitive Avalanche Rated RDS(on) (Ω)VGS = 10 V 0.60 RoHS* • Isolated Central Mounting Hole COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 84 • Fast Switching Qgs (nC) 8.4 • Ease of Paralleling Qgd (nC) 50 • Simple Drive Requirements Configuration Single • Lead

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