IRFP448 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFP448
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 180 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V
Corriente continua de drenaje (Id): 11 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 84 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.6 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFP448
IRFP448 Datasheet (PDF)
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IRFP448, SiHFP448Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 500Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.60RoHS* Isolated Central Mounting HoleCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 84 Fast SwitchingQgs (nC) 8.4 Ease of ParallelingQgd (nC) 50 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compli
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IRFP448, SiHFP448Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 500Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.60RoHS* Isolated Central Mounting HoleCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 84 Fast SwitchingQgs (nC) 8.4 Ease of ParallelingQgd (nC) 50 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Lead
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