IPD50R3K0CE MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IPD50R3K0CE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPD50R3K0CE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: TO-252

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IPD50R3K0CE datasheet

..1. Size:2513K infineon
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..2. Size:241K inchange semiconductor
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7.1. Size:1840K infineon
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7.2. Size:751K infineon
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