IPD50R3K0CE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IPD50R3K0CE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для IPD50R3K0CE
IPD50R3K0CE Datasheet (PDF)
ipd50r3k0ce ipu50r3k0ce.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE500V CoolMOS CE Power TransistorIPx50R3K0CEData SheetRev. 2.1FinalPower Management & Multimarket500V CoolMOS CE Power TransistorIPD50R3K0CE, IPU50R3K0CEDPAK IPAK1 DescriptiontabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunctio
ipd50r3k0ce.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD50R3K0CE,IIPD50R3K0CEFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)3Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 500 VDSSV G
ipd50r380ce.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE500V CoolMOS CE Power TransistorIPD50R380CEData SheetRev. 2.1FinalPower Management & Multimarket500V CoolMOS CE Power TransistorIPD50R380CEDPAK1 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andp
ipd50r399cp.pdf

IPD50R399CPCoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryProduct SummaryFeaturesV"1 @Tjmax 550 VV"1 @Tjmax 550 VV *EL;HI
Другие MOSFET... IPD60R380E6 , IPD60R2K1CE , IPD60R1K5CE , IPD60R1K0CE , IPD50R950CE , IPD50R800CE , IPD50R650CE , IPD50R500CE , AON7408 , IPD50R380CE , IPD50R2K0CE , IPD50R280CE , IPD50R1K4CE , IPD13N03LAG , IPD135N03L , IPD090N03L , IPD075N03L .
History: QM2401C1 | IXTD110N25T-8W | 2N6765 | HRLU125N06K | RQ5E035AT | SIA426DJ | BLP042N10G-P
History: QM2401C1 | IXTD110N25T-8W | 2N6765 | HRLU125N06K | RQ5E035AT | SIA426DJ | BLP042N10G-P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor