IPD50R380CE Todos los transistores

 

IPD50R380CE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPD50R380CE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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IPD50R380CE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1840K  infineon
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IPD50R380CE

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE500V CoolMOS CE Power TransistorIPD50R380CEData SheetRev. 2.1FinalPower Management & Multimarket500V CoolMOS CE Power TransistorIPD50R380CEDPAK1 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andp

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
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IPD50R380CE

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD50R380CE,IIPD50R380CEFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)380mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 500 VDSS

 7.1. Size:751K  infineon
 ipd50r399cp.pdf pdf_icon

IPD50R380CE

IPD50R399CPCoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryProduct SummaryFeaturesV"1 @Tjmax 550 VV"1 @Tjmax 550 VV *EL;HI

 7.2. Size:658K  infineon
 ipd50r399cp rev2 1b.pdf pdf_icon

IPD50R380CE

IPD50R399CPCoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryProduct SummaryFeaturesV"1 @Tjmax 550 VV"1 @Tjmax 550 VV *EL;HI

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History: IPD040N03L | FTK640F | CED02N6A | 2SK1947 | AP85U03GMT-HF | IXTH16P20 | SM2421PSAN

 

 
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