IPD025N06N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPD025N06N
Código: 025N06N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.3 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
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IPD025N06N Datasheet (PDF)
ipd025n06n.pdf
TypeIPD025N06NOptiMOSTM Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 60 V Optimized for synchronous rectificationRDS(on),max 2.5 mW 100% avalanche testedID 90 A Superior thermal resistanceQOSS 81 nC N-channel, normal levelQG(0V..10V) 71 nC Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Haloge
ipd025n06n.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPD025N06N, IIPD025N06NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)2.5mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONOptimized for synchronous rectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Sou
ipd024n06n.pdf
TypeIPD024N06NOptiMOSTM Power-TransistorFeaturesProduct Summary Optimized for synchronous rectificationVDS 60 V 100% avalanche testedRDS(on),max 2.4mW Superior thermal resistanceID 90 A N-channel, normal levelQOSS nC81 Qualified according to JEDEC1) for target applicationsQG(0V..10V) nC71 Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-fre
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Liste
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