IPD025N06N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPD025N06N
Маркировка: 025N06N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для IPD025N06N
IPD025N06N Datasheet (PDF)
ipd025n06n.pdf
TypeIPD025N06NOptiMOSTM Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 60 V Optimized for synchronous rectificationRDS(on),max 2.5 mW 100% avalanche testedID 90 A Superior thermal resistanceQOSS 81 nC N-channel, normal levelQG(0V..10V) 71 nC Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Haloge
ipd025n06n.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPD025N06N, IIPD025N06NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)2.5mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONOptimized for synchronous rectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Sou
ipd024n06n.pdf
TypeIPD024N06NOptiMOSTM Power-TransistorFeaturesProduct Summary Optimized for synchronous rectificationVDS 60 V 100% avalanche testedRDS(on),max 2.4mW Superior thermal resistanceID 90 A N-channel, normal levelQOSS nC81 Qualified according to JEDEC1) for target applicationsQG(0V..10V) nC71 Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-fre
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918