IPD024N06N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPD024N06N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPD024N06N

IPD024N06N Datasheet (PDF)

..1. Size:447K infineon
ipd024n06n.pdf

TypeIPD024N06NOptiMOSTM Power-TransistorFeaturesProduct Summary Optimized for synchronous rectificationVDS 60 V 100% avalanche testedRDS(on),max 2.4mW Superior thermal resistanceID 90 A N-channel, normal levelQOSS nC81 Qualified according to JEDEC1) for target applicationsQG(0V..10V) nC71 Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-fre

9.1. Size:577K infineon
ipd025n06n.pdf

TypeIPD025N06NOptiMOSTM Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 60 V Optimized for synchronous rectificationRDS(on),max 2.5 mW 100% avalanche testedID 90 A Superior thermal resistanceQOSS 81 nC N-channel, normal levelQG(0V..10V) 71 nC Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Haloge

9.2. Size:242K inchange semiconductor
ipd025n06n.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD025N06N, IIPD025N06NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)2.5mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONOptimized for synchronous rectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Sou

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Liste

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