IPD024N06N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPD024N06N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de IPD024N06N MOSFET
IPD024N06N datasheet
ipd024n06n.pdf
Type IPD024N06N OptiMOSTM Power-Transistor Features Product Summary Optimized for synchronous rectification VDS 60 V 100% avalanche tested RDS(on),max 2.4 mW Superior thermal resistance ID 90 A N-channel, normal level QOSS nC 81 Qualified according to JEDEC1) for target applications QG(0V..10V) nC 71 Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-fre
ipd025n06n.pdf
Type IPD025N06N OptiMOSTM Power-Transistor Product Summary Features VDS 60 V Optimized for synchronous rectification RDS(on),max 2.5 mW 100% avalanche tested ID 90 A Superior thermal resistance QOSS 81 nC N-channel, normal level QG(0V..10V) 71 nC Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Haloge
ipd025n06n.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPD025N06N, IIPD025N06N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 2.5m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Optimized for synchronous rectification ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Sou
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Liste
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