IPD024N06N Todos los transistores

 

IPD024N06N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPD024N06N

Código: 024N06N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 167 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 90 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.8 V

Tiempo de elevación (tr): 20 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1200 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0024 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-252

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IPD024N06N Datasheet (PDF)

1.1. ipd024n06n.pdf Size:447K _infineon

IPD024N06N
IPD024N06N

Type IPD024N06N OptiMOSTM Power-Transistor Features Product Summary • Optimized for synchronous rectification VDS 60 V • 100% avalanche tested RDS(on),max 2.4 mW • Superior thermal resistance ID 90 A • N-channel, normal level QOSS nC 81 • Qualified according to JEDEC1) for target applications QG(0V..10V) nC 71 • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-fre

5.1. ipd025n06n.pdf Size:577K _infineon

IPD024N06N
IPD024N06N

Type IPD025N06N OptiMOSTM Power-Transistor Product Summary Features VDS 60 V • Optimized for synchronous rectification RDS(on),max 2.5 mW • 100% avalanche tested ID 90 A • Superior thermal resistance QOSS 81 nC • N-channel, normal level QG(0V..10V) 71 nC • Qualified according to JEDEC1) for target applications • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Haloge

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