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IPB65R310CFDA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB65R310CFDA

Código: 65F6310A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 104.2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 11.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Tiempo de elevación (tr): 7.5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 55 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.31 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-263

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IPB65R310CFDA Datasheet (PDF)

1.1. ipa65r310cfd ipb65r310cfd ipi65r310cfd.pdf Size:3925K _infineon

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MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS™ CFD2 650V 650V CoolMOS™ CFD2 Power Transistor IPx65R310CFD Data Sheet Rev. 2.3 Final Industrial & Multimarket 650V CoolMOS™ CFD2 Power Transistor IPW65R310CFD , IPB65R310CFD , IPP65R310CFD IPA65R310CFD , IPI65R310CFD TO-247 D²PAK TO-220 1 Description CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage

1.2. ipb65r310cfda.pdf Size:1746K _infineon

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MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CFDA Automotive 650V CoolMOS™ CFDA Power Transistor IPx65R310CFDA Data Sheet Rev. 2.0 Final Automotive 650V CoolMOS™ CFDA Power Transistor IPB65R310CFDA, IPP65R310CFDA D²PAK TO-220 1 Description CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) princi

 3.1. ipb65r380c6 2 0.pdf Size:2146K _infineon

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