IPB65R225C7 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPB65R225C7
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.225 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de IPB65R225C7 MOSFET
IPB65R225C7 PDF Specs
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Liste
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