IPB65R225C7 Todos los transistores

 

IPB65R225C7 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPB65R225C7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.225 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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IPB65R225C7 PDF Specs

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IPB65R225C7

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C7 650V CoolMOS C7 Power Transistor IPB65R225C7 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket 650V CoolMOS C7 Power Transistor IPB65R225C7 D PAK 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and tab ... See More ⇒

 ..2. Size:270K  inchange semiconductor
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IPB65R225C7

isc N-Channel MOSFET Transistor IPB65R225C7 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.225 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Provide all benefits of a fast switching super junction MOSFET offering better efficiency,reduced gate char... See More ⇒

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MO Met l Oxi e emi n t iel e t n i t C lMO C6 65 C lMO C6 e n i t I x65 280C6 D t eet Rev. 2.1 in l e M n ement & M ltim ket , == $&)G '=D3? *?/... See More ⇒

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