IPB65R225C7 Todos los transistores

 

IPB65R225C7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB65R225C7

Código: 65C7225

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 63 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 11 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 6 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 14 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.225 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-263

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IPB65R225C7 Datasheet (PDF)

1.1. ipb65r225c7.pdf Size:1580K _infineon

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MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS™ C7 650V CoolMOS™ C7 Power Transistor IPB65R225C7 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket 650V CoolMOS™ C7 Power Transistor IPB65R225C7 D²PAK 1 Description CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and tab

3.1. ipb65r280e6 2 0.pdf Size:2033K _infineon

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MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS E6 650V CoolMOS E6 Power Transistor IPx65R280E6 Data Sheet Rev. 2.0, 2010-04-26 Final Industrial & Multimarket 650V CoolMOS E6 Power Transistor IPA65R280E6, IPB65R280E6 IPI65R280E6, IPP65R280E6 IPW65R280E6 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the

3.2. ipb65r280c6 2 0.pdf Size:2104K _infineon

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