IPB65R225C7 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

IPB65R225C7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPB65R225C7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.225 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для IPB65R225C7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

IPB65R225C7 даташит

..1. Size:1580K infineon
ipb65r225c7.pdf pdf_icon

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C7 650V CoolMOS C7 Power Transistor IPB65R225C7 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket 650V CoolMOS C7 Power Transistor IPB65R225C7 D PAK 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and tab

..2. Size:270K inchange semiconductor
ipb65r225c7.pdf pdf_icon

isc N-Channel MOSFET Transistor IPB65R225C7 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.225 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Provide all benefits of a fast switching super junction MOSFET offering better efficiency,reduced gate char

7.1. Size:1337K infineon
ipa65r280c6 ipb65r280c6 ipi65r280c6 ipp65r280c6 ipw65r280c6.pdf pdf_icon