IPB049N08N5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB049N08N5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0049 Ohm

Encapsulados: TO-263

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IPB049N08N5 datasheet

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IPB049N08N5

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V IPB049N08N5 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V IPB049N08N5 D PAK 1 Description Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R pr

 ..2. Size:205K  inchange semiconductor
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IPB049N08N5

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPB049N08N5 FEATURES With TO-263(D2PAK) packaging Ultra-fast body diode High speed switching Very low on-resistence Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

 6.1. Size:683K  infineon
 ipb049n06l3g ipp052n06l3g ipp052n06l3 ipb049n06l3 ipp052n06l3 ipb052n06l3.pdf pdf_icon

IPB049N08N5

pe IPB049N06L3 G IPP052N06L3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V D R #562= 7@C 9 89 7C6BF6?4J DH E49 ?8 2?5 DJ?4 C64 R 4 7 m - @? >2I -' R ) AE > K65 E649?@=@8J 7@C 4@?G6CE6CD I D R I46==6?E 82E6 492C86 I R AC@5F4E ) ' D n) R ( 492??6= =@8 4 =6G6= R 2G2=2?496 E6DE65 R *3 7C66 A=2E ?8 , @"- 4@>A= 2?E 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA= 42E

 6.2. Size:258K  inchange semiconductor
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IPB049N08N5

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB049N06L3 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source V

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