IPA60R190P6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPA60R190P6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de IPA60R190P6 MOSFET
IPA60R190P6 Datasheet (PDF)
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MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS P6600V CoolMOS P6 Power TransistorIPx60R190P6Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS P6 Power TransistorIPW60R190P6, IPP60R190P6, IPA60R190P6TO-247 TO-220 TO-220 FP1 DescriptiontabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed accordi
ipw60r190p6 ipb60r190p6 ipp60r190p6 ipa60r190p6.pdf

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ipw60r190e6 ipp60r190e6 ipa60r190e6.pdf

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History: S85N042RP | LSB55R050GT | HM10P10D | FDU6688 | UPA1950 | BSL207SP
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Liste
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