IPA075N15N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPA075N15N3
   Código: 075N15N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 638 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPA075N15N3

IPA075N15N3 Datasheet (PDF)

..1. Size:540K infineon
ipa075n15n3.pdf

pe IPA075N15N3 GTM 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D k eR 7 m D n) m xM kin I 4 DQ .5BI B5C9CD1>35 RD n)Q T ?@5B1D9>7 D5=@5B1DEB5Q )2 6B55 7 1>4 CI>38B?>?EC B53D96931D9?>Q "1

..2. Size:201K inchange semiconductor
ipa075n15n3.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA075N15N3FEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATING

0.1. Size:542K infineon
ipa075n15n3g.pdf

pe IPA075N15N3 GTM 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D k eR 7 m D n) m xM kin I 4 DQ .5BI B5C9CD1>35 RD n)Q T ?@5B1D9>7 D5=@5B1DEB5Q )2 6B55 7 1>4 CI>38B?>?EC B53D96931D9?>Q "1

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: