IPA075N15N3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPA075N15N3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 638 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: TO-220

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IPA075N15N3 datasheet

 ..1. Size:540K  infineon
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IPA075N15N3

pe IPA075N15N3 G TM 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D k e R 7 m D n) m x M kin I 4 D Q .5BI B5C9CD1>35 R D n) Q T ?@5B1D9>7 D5=@5B1DEB5 Q )2 6B55 7 1>4 CI>38B?>?EC B53D96931D9?> Q "1

 ..2. Size:201K  inchange semiconductor
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IPA075N15N3

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IPA075N15N3 FEATURES With TO-220F package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Reduced switching and conduction losses 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 0.1. Size:542K  infineon
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IPA075N15N3

pe IPA075N15N3 G TM 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D k e R 7 m D n) m x M kin I 4 D Q .5BI B5C9CD1>35 R D n) Q T ?@5B1D9>7 D5=@5B1DEB5 Q )2 6B55 7 1>4 CI>38B?>?EC B53D96931D9?> Q "1

Otros transistores... IPA50R950CE, IPA50R800CE, IPA50R650CE, IPA50R500CE, IPA50R280CE, IPA50R190CE, IPA105N15N3, IPA083N10N5, AON6380, IPA060N06N, IPA041N04NG, IPA040N06N, IPA029N06N, IRFP4004PBF, IRFP4110PBF, IRFP4127PBF, IRFP4137PBF