IPA075N15N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPA075N15N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 638 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для IPA075N15N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPA075N15N3 даташит

 ..1. Size:540K  infineon
 ipa075n15n3.pdf pdf_icon

IPA075N15N3

pe IPA075N15N3 G TM 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D k e R 7 m D n) m x M kin I 4 D Q .5BI B5C9CD1>35 R D n) Q T ?@5B1D9>7 D5=@5B1DEB5 Q )2 6B55 7 1>4 CI>38B?>?EC B53D96931D9?> Q "1

 ..2. Size:201K  inchange semiconductor
 ipa075n15n3.pdf pdf_icon

IPA075N15N3

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IPA075N15N3 FEATURES With TO-220F package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Reduced switching and conduction losses 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 0.1. Size:542K  infineon
 ipa075n15n3g.pdf pdf_icon

IPA075N15N3

pe IPA075N15N3 G TM 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D k e R 7 m D n) m x M kin I 4 D Q .5BI B5C9CD1>35 R D n) Q T ?@5B1D9>7 D5=@5B1DEB5 Q )2 6B55 7 1>4 CI>38B?>?EC B53D96931D9?> Q "1

Другие IGBT... IPA50R950CE, IPA50R800CE, IPA50R650CE, IPA50R500CE, IPA50R280CE, IPA50R190CE, IPA105N15N3, IPA083N10N5, AON6380, IPA060N06N, IPA041N04NG, IPA040N06N, IPA029N06N, IRFP4004PBF, IRFP4110PBF, IRFP4127PBF, IRFP4137PBF