IPA075N15N3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IPA075N15N3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 638 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для IPA075N15N3
IPA075N15N3 Datasheet (PDF)
ipa075n15n3.pdf
pe IPA075N15N3 GTM 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D k eR 7 m D n) m xM kin I 4 DQ .5BI B5C9CD1>35 RD n)Q T ?@5B1D9>7 D5=@5B1DEB5Q )2 6B55 7 1>4 CI>38B?>?EC B53D96931D9?>Q "1
ipa075n15n3.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA075N15N3FEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATING
ipa075n15n3g.pdf
pe IPA075N15N3 GTM 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D k eR 7 m D n) m xM kin I 4 DQ .5BI B5C9CD1>35 RD n)Q T ?@5B1D9>7 D5=@5B1DEB5Q )2 6B55 7 1>4 CI>38B?>?EC B53D96931D9?>Q "1
Другие MOSFET... IPA50R950CE , IPA50R800CE , IPA50R650CE , IPA50R500CE , IPA50R280CE , IPA50R190CE , IPA105N15N3 , IPA083N10N5 , AON6380 , IPA060N06N , IPA041N04NG , IPA040N06N , IPA029N06N , IRFP4004PBF , IRFP4110PBF , IRFP4127PBF , IRFP4137PBF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011



