IPA060N06N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPA060N06N
   Código: 060N06N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 33 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 45 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.3 V
   Tiempo de subida (tr): 12 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 490 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

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IPA060N06N Datasheet (PDF)

..1. Size:1287K infineon
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MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM Power-Transistor, 60 VIPA060N06NData SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM Power-Transistor, 60 VIPA060N06NTO-220-FP1 DescriptionFeatures Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel

..2. Size:200K inchange semiconductor
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INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA060N06NFEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

0.1. Size:1060K infineon
ipa060n06nm5s.pdf

IPA060N06NM5SMOSFETPG-TO 220 FPOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 60 VFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationQualified

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History: STP60L60F

Liste

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