IRFP4410ZPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFP4410ZPBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 97 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 83 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247AC
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFP4410ZPBF
IRFP4410ZPBF Datasheet (PDF)
irfp4410zpbf.pdf
PD - 97309AIRFP4410ZPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS100Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ.l Uninterruptible Power Supply 7.2m:l High Speed Power Switching max. 9.0m:l Hard Switched and High Frequency CircuitsID (Silicon Limited)97ABenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtDDRuggednessl Fully Characterized Cap
irfp4410z.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP4410ZIIRFP4410ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)9.0mEnhancement mode:Vth =2.0 to 4.0 V (VDS=VGS, ID=250A)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power Supply
irfp441r.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP441RFEATURESDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 450V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.85(Max)DS(on)Fast Switching100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies
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History: STD12N06T4
History: STD12N06T4
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