IRFP7537PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFP7537PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 230 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 172 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.7 V
   Carga de la puerta (Qg): 142 nC
   Tiempo de subida (tr): 105 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 640 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0033 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFP7537PBF

IRFP7537PBF Datasheet (PDF)

..1. Size:538K international rectifier
irfp7537pbf.pdf

StrongIRFET IRFP7537PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications D VDSS 60V BLDC Motor drive applications Battery powered circuits RDS(on) typ. 2.75m Half-bridge and full-bridge topologies G Synchronous rectifier applications max 3.30m Resonant mode power supplies S OR-ing and re

..2. Size:538K infineon
irfp7537pbf.pdf

6.1. Size:247K inchange semiconductor
irfp7537.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFP7537IIRFP7537FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)3.3mEnhancement mode:Vth =2.1 to 3.7 V (VDS=VGS, ID=150A)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSynchronous RectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

7.1. Size:540K international rectifier
irfp7530pbf.pdf

StrongIRFET IRFP7530PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 60V D BLDC Motor drive applications Battery powered circuits RDS(on) typ. 1.65m Half-bridge and full-bridge topologies max 2.00mG Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 281A Resonant mode power sup

7.2. Size:540K infineon
irfp7530pbf.pdf

7.3. Size:242K inchange semiconductor
irfp7530.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP7530IIRFP7530FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 2mEnhancement mode:Vth =2.1 to 3.7V (VDS=VGS, ID=250A)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSynchronous RectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VA

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