IRFP7537PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFP7537PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 172 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm

Encapsulados: TO247

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IRFP7537PBF datasheet

 ..1. Size:538K  international rectifier
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IRFP7537PBF

StrongIRFET IRFP7537PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications D VDSS 60V BLDC Motor drive applications Battery powered circuits RDS(on) typ. 2.75m Half-bridge and full-bridge topologies G Synchronous rectifier applications max 3.30m Resonant mode power supplies S OR-ing and re

 6.1. Size:247K  inchange semiconductor
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IRFP7537PBF

 7.1. Size:540K  international rectifier
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IRFP7537PBF

StrongIRFET IRFP7530PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 60V D BLDC Motor drive applications Battery powered circuits RDS(on) typ. 1.65m Half-bridge and full-bridge topologies max 2.00m G Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 281A Resonant mode power sup

 7.2. Size:242K  inchange semiconductor
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IRFP7537PBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP7530 IIRFP7530 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 2m Enhancement mode Vth =2.1 to 3.7V (VDS=VGS, ID=250 A) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Synchronous Rectification ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VA

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