Справочник MOSFET. IRFP7537PBF

 

IRFP7537PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFP7537PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.7 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 172 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 142 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IRFP7537PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFP7537PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:538K  international rectifier
 irfp7537pbf.pdf pdf_icon

IRFP7537PBF

StrongIRFET IRFP7537PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications D VDSS 60V BLDC Motor drive applications Battery powered circuits RDS(on) typ. 2.75m Half-bridge and full-bridge topologies G Synchronous rectifier applications max 3.30m Resonant mode power supplies S OR-ing and re

 6.1. Size:247K  inchange semiconductor
 irfp7537.pdf pdf_icon

IRFP7537PBF

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFP7537IIRFP7537FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)3.3mEnhancement mode:Vth =2.1 to 3.7 V (VDS=VGS, ID=150A)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSynchronous RectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 7.1. Size:540K  international rectifier
 irfp7530pbf.pdf pdf_icon

IRFP7537PBF

StrongIRFET IRFP7530PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 60V D BLDC Motor drive applications Battery powered circuits RDS(on) typ. 1.65m Half-bridge and full-bridge topologies max 2.00mG Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 281A Resonant mode power sup

 7.2. Size:242K  inchange semiconductor
 irfp7530.pdf pdf_icon

IRFP7537PBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP7530IIRFP7530FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 2mEnhancement mode:Vth =2.1 to 3.7V (VDS=VGS, ID=250A)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSynchronous RectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP460PBF , IRFP462 , IRFP4668PBF , IRFP4710PBF , IRFP4768PBF , IRFP4868PBF , IRFP7430PBF , IRFP7530PBF , IRF3205 , IRFP7718PBF , FCA16N60 , FCA16N60F109 , FCA20N60FS , FCA20N60S , FCA20N60SF109 , FCAB2126 , FCB110N65F .

 

 
Back to Top

 


 
.