FCAB2126 Todos los transistores

 

FCAB2126 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCAB2126
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 770 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00265 Ohm
   Paquete / Cubierta: TCSP
 

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FCAB2126 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:615K  panasonic
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FCAB2126

Doc No. TT4-EA-15014Revision. 1Product StandardsMOS FETFCAB21260LFCAB21260LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mmFor lithium-ion secondary battery protection circuits3.546 5 4 Features Low source-source ON resistance:Rss(on) typ. = 2.0 mWVGS = 4.5 V) CSP(Chip Size Package) 1 2 3 RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)(R0.125)

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FCAB2126

Doc No. TT4-ZZ-02013 Revision. 1Product StandardsMOS FETFCAB21490L1FCAB21490L1Gate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mm For lithium-ion secondary battery protection circuits Features Source-source ON resistance:RSS(on) typ. = 2.2 mVGS = 3.8 V) CSP(Chip Size Package) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1) Ma

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FCAB2126

Doc No. TT4-ZZ-02014 Revision. 1Product StandardsMOS FETFCAB21520L1FCAB21520L1Gate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mm For lithium-ion secondary battery protection circuits Features Source-source ON resistance:RSS(on) typ. = 1.6 mVGS = 3.8 V) CSP(Chip Size Package) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1) Ma

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History: SL20N10 | AOD2904 | 2SK526

 

 
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