FCAB2126 Todos los transistores

 

FCAB2126 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FCAB2126

Código: 3E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 12 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1.4 V

Tiempo de elevación (tr): 3.3 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 770 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.00265 Ohm

Empaquetado / Estuche: TCSP

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FCAB2126 Datasheet (PDF)

1.1. fcab2126.pdf Size:615K _upd-mosfet

FCAB2126
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Doc No. TT4-EA-15014 Revision. 1 Product Standards MOS FET FCAB21260L FCAB21260L Gate resistor installed Dual N-channel MOS FET Unit: mm For lithium-ion secondary battery protection circuits 3.54 6 5 4  Features  Low source-source ON resistance:Rss(on) typ. = 2.0 mW(VGS = 4.5 V)  CSP(Chip Size Package) 1 2 3  RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant) (R0.125)

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: SWP069R10VS | SWD069R10VS | SWI069R10VS | NTHL082N65S3F | NSVJ3557SA3 | NP90N06VLG | NP90N055VUK | NP90N055VUG | NP90N055VDG | NP90N055PUH | NP90N055PDH | NP90N055NUK | NP90N055NUH | NP90N055NDH | NP90N055MUK |

 

 

 
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