FCD5N60TMWS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FCD5N60TMWS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm
   Paquete / Cubierta: D-PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FCD5N60TMWS

FCD5N60TMWS Datasheet (PDF)

5.1. Size:938K fairchild semi
fcd5n60tm ws.pdf

December 2008 TMSuperFETFCD5N60 / FCU5N60 600V N-Channel MOSFETFeatures Description 650V @TJ = 150C SuperFETTM is, Fairchilds proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. Rds(on)=0.81balance mechanism for outstanding low on-resistance and Ultra low gate charge (typ. Qg=16nC) lower gate charge performanc

7.1. Size:973K fairchild semi
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7.2. Size:427K onsemi
fcd5n60 fcu5n60.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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