FCH20N60 Todos los transistores

 

FCH20N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCH20N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

 Búsqueda de reemplazo de FCH20N60 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FCH20N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:971K  fairchild semi
 fch20n60 fca20n60 fca20n60 f109.pdf pdf_icon

FCH20N60

December 2008TMSuperFETFCH20N60 / FCA20N60 / FCA20N60_F109600V N-Channel MOSFETFeatures Description 650V @TJ = 150C SuperFETTM is, Fairchilds proprietary, new generation of highvoltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. Rds(on)=0.15balance mechanism for outstanding low on-resistance and Ultra low gate charge (typ. Qg=55nC) lower gate cha

 ..2. Size:965K  fairchild semi
 fch20n60.pdf pdf_icon

FCH20N60

December 2008TMSuperFETFCH20N60 / FCA20N60 / FCA20N60_F109600V N-Channel MOSFETFeatures Description 650V @TJ = 150C SuperFETTM is, Fairchilds proprietary, new generation of highvoltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. Rds(on)=0.15balance mechanism for outstanding low on-resistance and Ultra low gate charge (typ. Qg=55nC) lower gate cha

Otros transistores... FCD2250N80Z , FCD3400N80Z , FCD4N60TF , FCD4N60TM , FCD5N60TMWS , FCH041N60FF085 , FCH041N65FF085 , FCH070N60E , 2SK3878 , FCH47N60F133 , FCI11N60 , FCP20N60FS , FCPF150N65FL1 , FCPF220N80 , FCPF290N80 , FCPF4300N80Z , FCPF7N60T .

History: AP09N70I-A-HF | FQB34N20L | JMTC3002B

 

 
Back to Top

 


 
.