FCH20N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FCH20N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 140 ns
Выходная емкость (Cd): 1280 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO-247
FCH20N60 Datasheet (PDF)
fch20n60 fca20n60 fca20n60 f109.pdf
December 2008TMSuperFETFCH20N60 / FCA20N60 / FCA20N60_F109600V N-Channel MOSFETFeatures Description 650V @TJ = 150C SuperFETTM is, Fairchilds proprietary, new generation of highvoltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. Rds(on)=0.15balance mechanism for outstanding low on-resistance and Ultra low gate charge (typ. Qg=55nC) lower gate cha
fch20n60.pdf
December 2008TMSuperFETFCH20N60 / FCA20N60 / FCA20N60_F109600V N-Channel MOSFETFeatures Description 650V @TJ = 150C SuperFETTM is, Fairchilds proprietary, new generation of highvoltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. Rds(on)=0.15balance mechanism for outstanding low on-resistance and Ultra low gate charge (typ. Qg=55nC) lower gate cha
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
