FCI11N60 Todos los transistores

 

FCI11N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCI11N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 98 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 671 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2-PAK
 

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FCI11N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:899K  fairchild semi
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FCI11N60

December 2008 TMSuperFETFCI11N60 600V N-Channel MOSFETFeatures Description 650V @TJ = 150C SuperFETTM is, Fairchilds proprietary, new generation of highvoltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. RDS(on) = 0.32balance mechanism for outstanding low on-resistance and Ultra Low Gate Charge (typ. Qg = 40nC) lower gate charge performance.

Otros transistores... FCD4N60TF , FCD4N60TM , FCD5N60TMWS , FCH041N60FF085 , FCH041N65FF085 , FCH070N60E , FCH20N60 , FCH47N60F133 , STP75NF75 , FCP20N60FS , FCPF150N65FL1 , FCPF220N80 , FCPF290N80 , FCPF4300N80Z , FCPF7N60T , FCPF7N60YDTU , FCU2250N80Z .

History: APT5014SLLG | 2SK3914-01

 

 
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