FCU3400N80Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FCU3400N80Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12.7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm

Encapsulados: I-PAK

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FCU3400N80Z datasheet

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FCU3400N80Z

March 2015 FCD3400N80Z / FCU3400N80Z N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 2 A, 3.4 Features Description RDS(on) = 2.75 (Typ.) SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 7.4 nC) charge balance technology for outstanding low on-resistance Low Eoss (Typ.

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FCU3400N80Z

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