FCU3400N80Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FCU3400N80Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 32 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 7.4 nC
Tiempo de subida (tr): 6.4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 12.7 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3.4 Ohm
Paquete / Cubierta: I-PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FCU3400N80Z
FCU3400N80Z Datasheet (PDF)
fcd3400n80z fcu3400n80z.pdf
March 2015FCD3400N80Z / FCU3400N80ZN-Channel SuperFET II MOSFET800 V, 2 A, 3.4 Features Description RDS(on) = 2.75 (Typ.) SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-newhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 7.4 nC)charge balance technology for outstanding low on-resistance Low Eoss (Typ.
fcd3400n80z fcu3400n80z.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
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History: IPU80R2K0P7
