FDB24AN06LA0 Todos los transistores

 

FDB24AN06LA0 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDB24AN06LA0
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 101 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263AB
 

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FDB24AN06LA0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  fairchild semi
 fdb24an06la0 fdp24an06la0.pdf pdf_icon

FDB24AN06LA0

January 2004FDB24AN06LA0 / FDP24AN06LA0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 36A, 24mFeatures Applications rDS(ON) = 20m (Typ.), VGS = 5V, ID = 36A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 16nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

Otros transistores... FDA75N28 , FDA79N15 , FDAF59N30 , FDAF62N28 , FDAF69N25 , FDAF75N28 , FDB14AN06LA0 , FDB20AN06A0 , IRFB3607 , FDB2570 , FDB2670 , FDB3672 , FDB42AN15A0 , FDB44N25TM , FDB52N20TM , FDB5645 , FDB5800F085 .

History: FIR6N60FG | IPT020N10N3 | SPA08N50C3 | SPA06N60C3 | SPA08N80C3

 

 
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