FDB24AN06LA0 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDB24AN06LA0

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 101 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm

Encapsulados: TO-263AB

 Búsqueda de reemplazo de FDB24AN06LA0 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FDB24AN06LA0 datasheet

 ..1. Size:245K  fairchild semi
 fdb24an06la0 fdp24an06la0.pdf pdf_icon

FDB24AN06LA0

January 2004 FDB24AN06LA0 / FDP24AN06LA0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 36A, 24m Features Applications rDS(ON) = 20m (Typ.), VGS = 5V, ID = 36A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 16nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

Otros transistores... FDA75N28, FDA79N15, FDAF59N30, FDAF62N28, FDAF69N25, FDAF75N28, FDB14AN06LA0, FDB20AN06A0, IRFB3607, FDB2570, FDB2670, FDB3672, FDB42AN15A0, FDB44N25TM, FDB52N20TM, FDB5645, FDB5800F085