Справочник MOSFET. FDB24AN06LA0

 

FDB24AN06LA0 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDB24AN06LA0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 101 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AB
 

 Аналог (замена) для FDB24AN06LA0

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB24AN06LA0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  fairchild semi
 fdb24an06la0 fdp24an06la0.pdf pdf_icon

FDB24AN06LA0

January 2004FDB24AN06LA0 / FDP24AN06LA0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 36A, 24mFeatures Applications rDS(ON) = 20m (Typ.), VGS = 5V, ID = 36A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 16nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

Другие MOSFET... FDA75N28 , FDA79N15 , FDAF59N30 , FDAF62N28 , FDAF69N25 , FDAF75N28 , FDB14AN06LA0 , FDB20AN06A0 , AON7506 , FDB2570 , FDB2670 , FDB3672 , FDB42AN15A0 , FDB44N25TM , FDB52N20TM , FDB5645 , FDB5800F085 .

History: SIHFR310 | AOT2918L | MXP6010CTS

 

 
Back to Top

 


 
.