FDB8160 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

FDB8160 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDB8160

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 254 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1810 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm

Encapsulados: TO-263AB

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FDB8160 datasheet

..1. Size:317K fairchild semi
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October 2010 FDB8160_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 80A, 1.8m Applications Features Typ rDS(on) = 1.5m at VGS = 10V, ID = 80A 12V Automotive Load Control Typ Qg(10) = 187nC at VGS = 10V Starter/Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode DC/DC converter UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) Quali

..2. Size:340K fairchild semi
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9.1. Size:536K fairchild semi
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October 2014 FDB8132_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET D D 30 V, 110 A, 1.6 m Features Typ RDS(on) = 1.4m at VGS = 10V, ID = 80A G Typ Qg(tot) = 244nC at VGS = 10V, ID = 80A UIS Capability G S RoHS Compliant TO-263 S Qualified to AEC Q101 FDB SERIES Applications For current package drawing, please refer to the Fairchild website at https //www.fairchi

9.2. Size:324K fairchild semi
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February 2011 FDB8132_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 80A, 1.6m Applications Features Typ rDS(on) = 1.4m at VGS = 10V, ID = 80A 12V Automotive Load Control Typ Qg(10) = 209nC at VGS = 10V Starter/Alternator Systems Typ Qg(10) = 269nC at VGS = 13V Electronic Power Steering Systems Low Miller Charge DC/DC converter Low Qrr Body Diode UIS Capability (Single Pu

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