Справочник MOSFET. FDB8160

 

FDB8160 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDB8160
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 254 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Время нарастания (tr): 18.9 ns
   Выходная емкость (Cd): 1810 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AB

 Аналог (замена) для FDB8160

 

 

FDB8160 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:317K  fairchild semi
fdb8160.pdf

FDB8160
FDB8160

October 2010FDB8160_F085N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 80A, 1.8m ApplicationsFeatures Typ rDS(on) = 1.5m at VGS = 10V, ID = 80A 12V Automotive Load Control Typ Qg(10) = 187nC at VGS = 10V Starter/Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode DC/DC converter UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) Quali

 ..2. Size:340K  fairchild semi
fdb8160 f085.pdf

FDB8160
FDB8160

October 2010FDB8160_F085N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 80A, 1.8m ApplicationsFeatures Typ rDS(on) = 1.5m at VGS = 10V, ID = 80A 12V Automotive Load Control Typ Qg(10) = 187nC at VGS = 10V Starter/Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode DC/DC converter UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) Quali

 9.1. Size:536K  fairchild semi
fdb8132 f085.pdf

FDB8160
FDB8160

October 2014FDB8132_F085N-Channel PowerTrench MOSFETDD30 V, 110 A, 1.6 m Features Typ RDS(on) = 1.4m at VGS = 10V, ID = 80A G Typ Qg(tot) = 244nC at VGS = 10V, ID = 80A UIS Capability GS RoHS CompliantTO-263S Qualified to AEC Q101FDB SERIESApplications Forcurrentpackagedrawing,pleaserefertotheFairchildwebsiteathttps://www.fairchi

 9.2. Size:324K  fairchild semi
fdb8132.pdf

FDB8160
FDB8160

February 2011FDB8132_F085N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 80A, 1.6m ApplicationsFeatures Typ rDS(on) = 1.4m at VGS = 10V, ID = 80A 12V Automotive Load Control Typ Qg(10) = 209nC at VGS = 10V Starter/Alternator Systems Typ Qg(10) = 269nC at VGS = 13V Electronic Power Steering Systems Low Miller Charge DC/DC converter Low Qrr Body Diode UIS Capability (Single Pu

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top