Справочник MOSFET. FDB8160

 

FDB8160 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDB8160
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 254 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1810 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AB
 

 Аналог (замена) для FDB8160

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB8160 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:317K  fairchild semi
 fdb8160.pdf pdf_icon

FDB8160

October 2010FDB8160_F085N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 80A, 1.8m ApplicationsFeatures Typ rDS(on) = 1.5m at VGS = 10V, ID = 80A 12V Automotive Load Control Typ Qg(10) = 187nC at VGS = 10V Starter/Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode DC/DC converter UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) Quali

 ..2. Size:340K  fairchild semi
 fdb8160 f085.pdf pdf_icon

FDB8160

October 2010FDB8160_F085N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 80A, 1.8m ApplicationsFeatures Typ rDS(on) = 1.5m at VGS = 10V, ID = 80A 12V Automotive Load Control Typ Qg(10) = 187nC at VGS = 10V Starter/Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode DC/DC converter UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) Quali

 9.1. Size:536K  fairchild semi
 fdb8132 f085.pdf pdf_icon

FDB8160

October 2014FDB8132_F085N-Channel PowerTrench MOSFETDD30 V, 110 A, 1.6 m Features Typ RDS(on) = 1.4m at VGS = 10V, ID = 80A G Typ Qg(tot) = 244nC at VGS = 10V, ID = 80A UIS Capability GS RoHS CompliantTO-263S Qualified to AEC Q101FDB SERIESApplications Forcurrentpackagedrawing,pleaserefertotheFairchildwebsiteathttps://www.fairchi

 9.2. Size:324K  fairchild semi
 fdb8132.pdf pdf_icon

FDB8160

February 2011FDB8132_F085N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 80A, 1.6m ApplicationsFeatures Typ rDS(on) = 1.4m at VGS = 10V, ID = 80A 12V Automotive Load Control Typ Qg(10) = 209nC at VGS = 10V Starter/Alternator Systems Typ Qg(10) = 269nC at VGS = 13V Electronic Power Steering Systems Low Miller Charge DC/DC converter Low Qrr Body Diode UIS Capability (Single Pu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FDB52N20TM , FDB5645 , FDB5800F085 , FDB6021P , FDB6670AS , FDB6690S , FDB7030LL86Z , FDB8132 , 5N65 , FDB8444TS , FDB86563F085 , FDB8874 , FDB8876 , FDB8878 , FDBL0110N60 , FDBL0150N60 , FDBL0150N80 .

History: PMV40UN2 | IPA60R330P6

 

 
Back to Top

 


 
.