FDB8160. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDB8160

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 254 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1810 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm

Тип корпуса: TO-263AB

Аналог (замена) для FDB8160

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB8160 даташит

 ..1. Size:317K  fairchild semi
 fdb8160.pdf pdf_icon

FDB8160

October 2010 FDB8160_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 80A, 1.8m Applications Features Typ rDS(on) = 1.5m at VGS = 10V, ID = 80A 12V Automotive Load Control Typ Qg(10) = 187nC at VGS = 10V Starter/Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode DC/DC converter UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) Quali

 ..2. Size:340K  fairchild semi
 fdb8160 f085.pdf pdf_icon

FDB8160

October 2010 FDB8160_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 80A, 1.8m Applications Features Typ rDS(on) = 1.5m at VGS = 10V, ID = 80A 12V Automotive Load Control Typ Qg(10) = 187nC at VGS = 10V Starter/Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode DC/DC converter UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) Quali

 9.1. Size:536K  fairchild semi
 fdb8132 f085.pdf pdf_icon

FDB8160

October 2014 FDB8132_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET D D 30 V, 110 A, 1.6 m Features Typ RDS(on) = 1.4m at VGS = 10V, ID = 80A G Typ Qg(tot) = 244nC at VGS = 10V, ID = 80A UIS Capability G S RoHS Compliant TO-263 S Qualified to AEC Q101 FDB SERIES Applications For current package drawing, please refer to the Fairchild website at https //www.fairchi

 9.2. Size:324K  fairchild semi
 fdb8132.pdf pdf_icon

FDB8160

February 2011 FDB8132_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 80A, 1.6m Applications Features Typ rDS(on) = 1.4m at VGS = 10V, ID = 80A 12V Automotive Load Control Typ Qg(10) = 209nC at VGS = 10V Starter/Alternator Systems Typ Qg(10) = 269nC at VGS = 13V Electronic Power Steering Systems Low Miller Charge DC/DC converter Low Qrr Body Diode UIS Capability (Single Pu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FDB52N20TM, FDB5645, FDB5800F085, FDB6021P, FDB6670AS, FDB6690S, FDB7030LL86Z, FDB8132, 2SK3568, FDB8444TS, FDB86563F085, FDB8874, FDB8876, FDB8878, FDBL0110N60, FDBL0150N60, FDBL0150N80