FDC5612F095 Todos los transistores

 

FDC5612F095 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDC5612F095
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

FDC5612F095 Datasheet (PDF)

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FDC5612F095

December 2004FDC561260V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 4.3 A, 60 V. RDS(ON) = 0.055 @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 0.064 @ VGS = 6 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. Low gate charge (12.5nC typical).Thes

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FDC5612F095

December 2004FDC561260V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 4.3 A, 60 V. RDS(ON) = 0.055 @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 0.064 @ VGS = 6 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. Low gate charge (12.5nC typical).Thes

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FDC5612F095

FDC561260V N-Channel PowerTrench MOSFETFeaturesGeneral Description 4.3 A, 60 V. RDS(ON) = 0.055 @ VGS = 10 VThis N-Channel MOSFET has been designedspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 0.064 @ VGS = 6 Vconverters using either synchronous or conventional Low gate charge (12.5nC typical).switching PWM controllers.These MOSFETs featur

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History: IMW65R027M1H | CSD16410Q5A

 

 
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