FDC5612F095 Todos los transistores

 

FDC5612F095 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDC5612F095
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de FDC5612F095 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDC5612F095 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:77K  fairchild semi
 fdc5612 f095.pdf pdf_icon

FDC5612F095

December 2004FDC561260V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 4.3 A, 60 V. RDS(ON) = 0.055 @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 0.064 @ VGS = 6 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. Low gate charge (12.5nC typical).Thes

 7.2. Size:78K  fairchild semi
 fdc5612.pdf pdf_icon

FDC5612F095

December 2004FDC561260V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 4.3 A, 60 V. RDS(ON) = 0.055 @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 0.064 @ VGS = 6 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. Low gate charge (12.5nC typical).Thes

 7.3. Size:177K  onsemi
 fdc5612.pdf pdf_icon

FDC5612F095

FDC561260V N-Channel PowerTrench MOSFETFeaturesGeneral Description 4.3 A, 60 V. RDS(ON) = 0.055 @ VGS = 10 VThis N-Channel MOSFET has been designedspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 0.064 @ VGS = 6 Vconverters using either synchronous or conventional Low gate charge (12.5nC typical).switching PWM controllers.These MOSFETs featur

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... FDBL86363F085 , FDBL86366F085 , FDBL86561F085 , FDBL86563F085 , FDC2512F095 , FDC3512F095 , FDC3612F095 , FDC3616N , NCEP15T14 , FDC6020C , FDC602PF095 , FDC633NF095 , FDC640PF095 , FDC645NF095 , FDC697P , FDC697PF077 , FDC699P .

History: SSF80R850S | WPM3012 | WMM15N65C2 | SWD4N65DA | STH410N4F7-2AG | WML10N60C4 | SP8006

 

 
Back to Top

 


 
.