FDC5612F095 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

FDC5612F095 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDC5612F095

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: TO-252

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FDC5612F095 datasheet

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December 2004 FDC5612 60V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 4.3 A, 60 V. RDS(ON) = 0.055 @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 0.064 @ VGS = 6 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Low gate charge (12.5nC typical). Thes

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FDC5612 60V N-Channel PowerTrench MOSFET Features General Description 4.3 A, 60 V. RDS(ON) = 0.055 @ VGS = 10 V This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 0.064 @ VGS = 6 V converters using either synchronous or conventional Low gate charge (12.5nC typical). switching PWM controllers. These MOSFETs featur

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