FDC699PF077 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

FDC699PF077 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDC699PF077

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: SSOT-6

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FDC699PF077 datasheet

7.1. Size:161K fairchild semi
fdc699p fdc699p f077.pdf pdf_icon

January 2004 FDC699P P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged 7 A, 20 V RDS(ON) = 22 m @ VGS = 4.5 V gate version of Fairchild Semiconductor s advanced RDS(ON) = 30 m @ VGS = 2.5 V PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of g

9.1. Size:157K fairchild semi
fdc697p fdc697p f077.pdf pdf_icon

January 2004 FDC697P P-Channel 1.8V PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses 8 A, 20 V RDS(ON) = 20 m @ VGS = 4.5 V Fairchild s advanced low voltage Power Trench RDS(ON) = 25 m @ VGS = 2.5 V process. It has been optimized for battery power RDS(ON) = 35 m @ VGS = 1.8 V management applications.

9.2. Size:159K fairchild semi
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