FDC699PF077 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDC699PF077
   Código: ..699
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: SSOT-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDC699PF077

FDC699PF077 Datasheet (PDF)

7.1. Size:161K fairchild semi
fdc699p fdc699p f077.pdf

January 2004 FDC699P P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged 7 A, 20 V RDS(ON) = 22 m @ VGS = 4.5 V gate version of Fairchild Semiconductors advanced RDS(ON) = 30 m @ VGS = 2.5 V PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of g

9.1. Size:157K fairchild semi
fdc697p fdc697p f077.pdf

January 2004 FDC697P P-Channel 1.8V PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses 8 A, 20 V RDS(ON) = 20 m @ VGS = 4.5 V Fairchilds advanced low voltage Power TrenchRDS(ON) = 25 m @ VGS = 2.5 V process. It has been optimized for battery power RDS(ON) = 35 m @ VGS = 1.8 V management applications.

9.2. Size:159K fairchild semi
fdc697p.pdf

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: