FDC796NF077 Todos los transistores

 

FDC796NF077 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDC796NF077
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 342 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: SSOT-6
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDC796NF077 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:185K  fairchild semi
 fdc796n.pdf pdf_icon

FDC796NF077

February 2004 FDC796N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 12.5 A, 30 V. RDS(ON) = 9 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 12 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High

 7.2. Size:184K  fairchild semi
 fdc796n fdc796n f077.pdf pdf_icon

FDC796NF077

February 2004 FDC796N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 12.5 A, 30 V. RDS(ON) = 9 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 12 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High

Otros transistores... FDC633NF095 , FDC640PF095 , FDC645NF095 , FDC697P , FDC697PF077 , FDC699P , FDC699PF077 , FDC796N , MMD60R360PRH , FDD044AN03L , FDD068AN03L , FDD107AN06LA0 , FDD10N20LZTM , FDD14AN06LA0 , FDD16AN08A0NF054 , FDD20AN06A0 , FDD24AN06LA0 .

 

 
Back to Top

 


 
.