FDC796NF077 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDC796NF077  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 342 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: SSOT-6

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de FDC796NF077 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FDC796NF077 datasheet

 7.1. Size:185K  fairchild semi
 fdc796n.pdf pdf_icon

FDC796NF077

February 2004 FDC796N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 12.5 A, 30 V. RDS(ON) = 9 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 12 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High

 7.2. Size:184K  fairchild semi
 fdc796n fdc796n f077.pdf pdf_icon

FDC796NF077

February 2004 FDC796N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 12.5 A, 30 V. RDS(ON) = 9 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 12 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High

Otros transistores... FDC633NF095, FDC640PF095, FDC645NF095, FDC697P, FDC697PF077, FDC699P, FDC699PF077, FDC796N, 3401, FDD044AN03L, FDD068AN03L, FDD107AN06LA0, FDD10N20LZTM, FDD14AN06LA0, FDD16AN08A0NF054, FDD20AN06A0, FDD24AN06LA0