Справочник MOSFET. FDC796NF077

 

FDC796NF077 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDC796NF077
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 342 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: SSOT-6
 

 Аналог (замена) для FDC796NF077

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDC796NF077 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:185K  fairchild semi
 fdc796n.pdf pdf_icon

FDC796NF077

February 2004 FDC796N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 12.5 A, 30 V. RDS(ON) = 9 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 12 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High

 7.2. Size:184K  fairchild semi
 fdc796n fdc796n f077.pdf pdf_icon

FDC796NF077

February 2004 FDC796N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 12.5 A, 30 V. RDS(ON) = 9 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 12 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High

Другие MOSFET... FDC633NF095 , FDC640PF095 , FDC645NF095 , FDC697P , FDC697PF077 , FDC699P , FDC699PF077 , FDC796N , MMD60R360PRH , FDD044AN03L , FDD068AN03L , FDD107AN06LA0 , FDD10N20LZTM , FDD14AN06LA0 , FDD16AN08A0NF054 , FDD20AN06A0 , FDD24AN06LA0 .

History: 2N7288H | PTP20N70A | R6011ENX | SQM50N04-4M1 | 2SK4179 | NCEP025N12LL | HIRF630

 

 
Back to Top

 


 
.