Справочник MOSFET. FDC796NF077

 

FDC796NF077 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDC796NF077
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 342 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: SSOT-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDC796NF077 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:185K  fairchild semi
 fdc796n.pdf pdf_icon

FDC796NF077

February 2004 FDC796N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 12.5 A, 30 V. RDS(ON) = 9 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 12 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High

 7.2. Size:184K  fairchild semi
 fdc796n fdc796n f077.pdf pdf_icon

FDC796NF077

February 2004 FDC796N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 12.5 A, 30 V. RDS(ON) = 9 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 12 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: NCE60NF730I | IRF8301MTRPBF | IAUC100N10S5N040 | STU601S | MS65R360F | RJK0206DPA | RF4E070BN

 

 
Back to Top

 


 
.