FDD068AN03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDD068AN03L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 171 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0057 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDD068AN03L

FDD068AN03L Datasheet (PDF)

..1. Size:290K fairchild semi
fdd068an03l fdu068an03l.pdf

December 2003FDD068AN03L / FDU068AN03LN-Channel PowerTrench MOSFET30V, 35A, 6.8mFeatures Applications rDS(ON) = 5.7m (Typ.), VGS = 4.5V, ID = 35A 12V Automotive Load Control Qg(5) = 24nC (Typ.), VGS = 5V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low QRR Body Diode ABS UIS Capability (Single Pulse and

..2. Size:308K inchange semiconductor
fdd068an03l.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor FDD068AN03LFEATURESDrain Current : I =35A@ T =25D CDrain Source Voltage: V =20V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =5.7m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

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Liste

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