Справочник MOSFET. FDD068AN03L

 

FDD068AN03L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDD068AN03L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 171 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
   Тип корпуса: TO-252AA

 Аналог (замена) для FDD068AN03L

 

 

FDD068AN03L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:290K  fairchild semi
 fdd068an03l fdu068an03l.pdf

FDD068AN03L FDD068AN03L

December 2003FDD068AN03L / FDU068AN03LN-Channel PowerTrench MOSFET30V, 35A, 6.8mFeatures Applications rDS(ON) = 5.7m (Typ.), VGS = 4.5V, ID = 35A 12V Automotive Load Control Qg(5) = 24nC (Typ.), VGS = 5V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low QRR Body Diode ABS UIS Capability (Single Pulse and

 ..2. Size:308K  inchange semiconductor
 fdd068an03l.pdf

FDD068AN03L FDD068AN03L

isc N-Channel MOSFET Transistor FDD068AN03LFEATURESDrain Current : I =35A@ T =25D CDrain Source Voltage: V =20V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =5.7m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top