FDD14AN06LA0 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDD14AN06LA0

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Tiempo de elevación (tr): 132 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 270 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0116 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-252AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDD14AN06LA0

FDD14AN06LA0 Datasheet (PDF)

1.1. fdd14an06la0.pdf Size:224K _upd-mosfet

January 2004 FDD14AN06LA0 N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 50A, 14.6mΩ Features Applications • rDS(ON) = 12.8mΩ (Typ.), VGS = 5V, ID = 50A • Motor / Body Load Control • Qg(tot) = 25nC (Typ.), VGS = 5V • ABS Systems • Low Miller Charge • Powertrain Management • Low QRR Body Diode • Injection Systems • UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) • DC-DC

1.2. fdd14an06l f085.pdf Size:372K _fairchild_semi

December 2010 FDD14AN06LA0_F085 N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 50A, 14.6mΩ Features Applications • rDS(ON) = 12.8mΩ (Typ.), VGS = 5V, ID = 50A • Motor / Body Load Control • Qg(tot) = 25nC (Typ.), VGS = 5V • ABS Systems • Low Miller Charge • Powertrain Management • Low QRR Body Diode • Injection Systems • UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) •

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Liste

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