FDD14AN06LA0 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDD14AN06LA0
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 132 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0116 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDD14AN06LA0

FDD14AN06LA0 Datasheet (PDF)

..1. Size:224K fairchild semi
fdd14an06la0.pdf

January 2004FDD14AN06LA0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 50A, 14.6mFeatures Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 25nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC

4.1. Size:372K fairchild semi
fdd14an06l f085.pdf

December 2010FDD14AN06LA0_F085N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 50A, 14.6mFeatures Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 25nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

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Liste

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