FDD14AN06LA0 - аналоги и даташиты транзистора

 

FDD14AN06LA0 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDD14AN06LA0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 132 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0116 Ohm
   Тип корпуса: TO-252AA
 

 Аналог (замена) для FDD14AN06LA0

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD14AN06LA0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  fairchild semi
 fdd14an06la0.pdf pdf_icon

FDD14AN06LA0

January 2004FDD14AN06LA0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 50A, 14.6mFeatures Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 25nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC

 4.1. Size:372K  fairchild semi
 fdd14an06l f085.pdf pdf_icon

FDD14AN06LA0

December 2010FDD14AN06LA0_F085N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 50A, 14.6mFeatures Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 25nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

Другие MOSFET... FDC699P , FDC699PF077 , FDC796N , FDC796NF077 , FDD044AN03L , FDD068AN03L , FDD107AN06LA0 , FDD10N20LZTM , IRFP064N , FDD16AN08A0NF054 , FDD20AN06A0 , FDD24AN06LA0 , FDD2512 , FDD2570 , FDD2612 , FDD26AN06A0 , FDD3570 .

History: FDM50R120AN4G | IPZ65R095C7 | NP80N055KHE | VBZE60N02 | IRFZ44ZPBF | RSL020P03FRA

 

 
Back to Top

 


 
.