FDD14AN06LA0. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDD14AN06LA0

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 132 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0116 Ohm

Тип корпуса: TO-252AA

Аналог (замена) для FDD14AN06LA0

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD14AN06LA0 даташит

 ..1. Size:224K  fairchild semi
 fdd14an06la0.pdf pdf_icon

FDD14AN06LA0

January 2004 FDD14AN06LA0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 14.6m Features Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 25nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC

 4.1. Size:372K  fairchild semi
 fdd14an06l f085.pdf pdf_icon

FDD14AN06LA0

December 2010 FDD14AN06LA0_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 14.6m Features Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 25nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

Другие IGBT... FDC699P, FDC699PF077, FDC796N, FDC796NF077, FDD044AN03L, FDD068AN03L, FDD107AN06LA0, FDD10N20LZTM, IRFP064N, FDD16AN08A0NF054, FDD20AN06A0, FDD24AN06LA0, FDD2512, FDD2570, FDD2612, FDD26AN06A0, FDD3570