FDD16AN08A0NF054 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

FDD16AN08A0NF054 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDD16AN08A0NF054

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: TO-252AA

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FDD16AN08A0NF054 datasheet

3.1. Size:242K fairchild semi
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May 2002 FDD16AN08A0 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 50A, 16m Features Applications rDS(ON) = 13m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 31nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode Electronic Valve Train Systems UIS Capability (Sing

3.2. Size:2944K fairchild semi
fdd16an08a0 f085 fdd16an08 f085.pdf pdf_icon

October 2008 FDD16AN08A0_F085 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 50A, 16m Features Applications rDS(ON) = 13m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 31nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode Electronic Valve Train Systems UIS Capabil

3.3. Size:239K fairchild semi
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