FDD20AN06A0 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDD20AN06A0
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 98 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252AA
Búsqueda de reemplazo de FDD20AN06A0 MOSFET
FDD20AN06A0 Datasheet (PDF)
fdd20an06a0.pdf
June 2003FDD20AN06A0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 45A, 20mFeatures Applications rDS(ON) = 17m (Typ.), VGS = 10V, ID = 45A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 15nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC conver
fdd20an06 f085.pdf
May 2010FDD20AN06A0 F085_N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 45A, 20mFeatures Applications rDS(ON) = 17m (Typ.), VGS = 10V, ID = 45A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 15nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC
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History: 2N4858A | IRHM9260 | IPZ65R045C7 | STD6N60M2 | FDD24AN06LA0 | IPZ65R065C7 | TPV60R080CFD
History: 2N4858A | IRHM9260 | IPZ65R045C7 | STD6N60M2 | FDD24AN06LA0 | IPZ65R065C7 | TPV60R080CFD
Liste
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