FDD20AN06A0. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDD20AN06A0

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 98 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO-252AA

Аналог (замена) для FDD20AN06A0

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD20AN06A0 даташит

 ..1. Size:605K  fairchild semi
 fdd20an06a0.pdf pdf_icon

FDD20AN06A0

June 2003 FDD20AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 45A, 20m Features Applications rDS(ON) = 17m (Typ.), VGS = 10V, ID = 45A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 15nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC conver

 5.1. Size:319K  fairchild semi
 fdd20an06 f085.pdf pdf_icon

FDD20AN06A0

May 2010 FDD20AN06A0 F085 _ N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 45A, 20m Features Applications rDS(ON) = 17m (Typ.), VGS = 10V, ID = 45A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 15nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC

Другие IGBT... FDC796N, FDC796NF077, FDD044AN03L, FDD068AN03L, FDD107AN06LA0, FDD10N20LZTM, FDD14AN06LA0, FDD16AN08A0NF054, IRF730, FDD24AN06LA0, FDD2512, FDD2570, FDD2612, FDD26AN06A0, FDD3570, FDD3N50NZTM, FDD45AN06LA0