FDD20AN06A0 - аналоги и даташиты транзистора

 

FDD20AN06A0 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDD20AN06A0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 98 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO-252AA
 

 Аналог (замена) для FDD20AN06A0

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD20AN06A0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:605K  fairchild semi
 fdd20an06a0.pdf pdf_icon

FDD20AN06A0

June 2003FDD20AN06A0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 45A, 20mFeatures Applications rDS(ON) = 17m (Typ.), VGS = 10V, ID = 45A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 15nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC conver

 5.1. Size:319K  fairchild semi
 fdd20an06 f085.pdf pdf_icon

FDD20AN06A0

May 2010FDD20AN06A0 F085_N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 45A, 20mFeatures Applications rDS(ON) = 17m (Typ.), VGS = 10V, ID = 45A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 15nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC

Другие MOSFET... FDC796N , FDC796NF077 , FDD044AN03L , FDD068AN03L , FDD107AN06LA0 , FDD10N20LZTM , FDD14AN06LA0 , FDD16AN08A0NF054 , IRFP064N , FDD24AN06LA0 , FDD2512 , FDD2570 , FDD2612 , FDD26AN06A0 , FDD3570 , FDD3N50NZTM , FDD45AN06LA0 .

History: BRCS035N10SHZC | FTK630 | AFN3814W | IXFK230N20T | STB14NK60ZT4 | SIA519EDJ

 

 
Back to Top

 


 
.