FDD3570 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDD3570
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de FDD3570 MOSFET
FDD3570 Datasheet (PDF)
fdd3570.pdf

February 2000PRELIMINARYFDD357080V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel Logic level MOSFET has been 10 A, 80 V. RDS(ON) = 0.019 @ VGS = 10 Vdesigned specifically to improve the overall efficiency ofRDS(ON) = 0.022 @ VGS = 6 V.DC/DC converters using either synchronous orconventional switching PWM controllers. Fast switching
fdd3510h.pdf

April 2008FDD3510HDual N & P-Channel PowerTrench MOSFET N-Channel: 80V, 13.9A, 80m P-Channel: -80V, -9.4A, 190mFeatures General DescriptionQ1: N-ChannelThese dual N and P-Channel enhancement mode Power MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductors Max rDS(on) = 80m at VGS = 10V, ID = 4.3Aadvanced PowerTrench process that has been especially Max rDS(on
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FDD3510HDual N & P-Channel PowerTrench MOSFETN-Channel: 80V, 13.9A, 80m P-Channel: -80V, -9.4A, 190mFeaturesGeneral DescriptionQ1: N-ChannelThese dual N and P- Channel enhancement mode Power Max rDS(on) = 80m at VGS = 10V, ID = 4.3AMOSFETs are produced using ON Semiconductors advanced Max rDS(on) = 88m at VGS = 6V, ID = 4.1APowerTrench process that has b
Otros transistores... FDD14AN06LA0 , FDD16AN08A0NF054 , FDD20AN06A0 , FDD24AN06LA0 , FDD2512 , FDD2570 , FDD2612 , FDD26AN06A0 , IRF540 , FDD3N50NZTM , FDD45AN06LA0 , FDD45AN06LA0F085 , FDD5810 , FDD5N60NZTM , FDD6512A , FDD6606 , FDD6632 .
History: RP1E125XN | AP9971GI | 7N65A | S80N10S | BUZ102SL
History: RP1E125XN | AP9971GI | 7N65A | S80N10S | BUZ102SL



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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