FDD45AN06LA0F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDD45AN06LA0F085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDD45AN06LA0F085

FDD45AN06LA0F085 Datasheet (PDF)

2.1. Size:225K fairchild semi
fdd45an06la0 fdd45an06la0 f085.pdf

February 2004FDD45AN06LA0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 22A, 45mFeatures Applications rDS(ON) = 39m (Typ.), VGS = 5V, ID = 22A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 8.3nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC co

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Liste

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