FDD45AN06LA0F085 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDD45AN06LA0F085  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: TO-252AA

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FDD45AN06LA0F085

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD45AN06LA0F085 даташит

 2.1. Size:225K  fairchild semi
 fdd45an06la0 fdd45an06la0 f085.pdf pdf_icon

FDD45AN06LA0F085

February 2004 FDD45AN06LA0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 22A, 45m Features Applications rDS(ON) = 39m (Typ.), VGS = 5V, ID = 22A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 8.3nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC co

Другие IGBT... FDD24AN06LA0, FDD2512, FDD2570, FDD2612, FDD26AN06A0, FDD3570, FDD3N50NZTM, FDD45AN06LA0, 50N06, FDD5810, FDD5N60NZTM, FDD6512A, FDD6606, FDD6632, FDD6670AL, FDD6670AS, FDD6672A