FDD5810 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDD5810

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TO-252AA

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FDD5810 datasheet

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FDD5810

May 2010 FDD5810_F085 N-Channel Logic Level Trench MOSFET 60V, 36A, 27m Applications Features Motor / Body Load Control RDS(ON) = 22m Typ.), VGS = 5V, ID = 29A ABS Systems Qg(5) = 13nC (Typ.), VGS = 5V Powertrain Management Low Miller Charge Injection System Low Qrr Body Diode DC-DC converters and Off-line UPS UIS Capability (Single Pulse / Repetitive Pulse) Dis

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FDD5810

October 2007 FDD5810 N-Channel Logic Level Trench MOSFET 60V, 36A, 27m Applications Features Motor / Body Load Control RDS(ON) = 22m (Typ.), VGS = 5V, ID = 29A ABS Systems Qg(5) = 13nC (Typ.), VGS = 5V Powertrain Management Low Miller Charge Injection System Low Qrr Body Diode DC-DC converters and Off-line UPS UIS Capability (Single Pulse / Repetitive Pulse) Di

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FDD5810

FDD5810-F085 N-Channel Logic Level Trench MOSFET 60V, 36A, 27m Applications Motor / Body Load Control Features ABS Systems RDS(ON) = 22m Typ.), VGS = 5V, ID = 29A Powertrain Management Qg(5) = 13nC (Typ.), VGS = 5V Injection System Low Miller Charge DC-DC converters and Off-line UPS Low Qrr Body Diode Distributed Power Architecture and VRMs UIS Capability (Single

Otros transistores... FDD2512, FDD2570, FDD2612, FDD26AN06A0, FDD3570, FDD3N50NZTM, FDD45AN06LA0, FDD45AN06LA0F085, IRFZ44, FDD5N60NZTM, FDD6512A, FDD6606, FDD6632, FDD6670AL, FDD6670AS, FDD6672A, FDD6676AS