FDD86367F085 Todos los transistores

 

FDD86367F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDD86367F085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 814 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: D-PAK

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDD86367F085

 

FDD86367F085 Datasheet (PDF)

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May 2015FDD86367_F085N-Channel PowerTrench MOSFET80 V, 100 A, 4.2 m Features Typical RDS(on) = 3.3 m at VGS = 10V, ID = 80 A D Typical Qg(tot) = 68 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability RoHS CompliantD Qualified to AEC Q101 GGApplications S Automotive Engine Control D-PAKTO-252S(TO-252) PowerTrain Management Solenoid and Motor DriversForc

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FDD86367-F085N-Channel PowerTrench MOSFET 80 V, 100 A, 4.2 mFeatures Typical RDS(on) = 3.3 m at VGS = 10V, ID = 80 AD Typical Qg(tot) = 68 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability RoHS CompliantD Qualified to AEC Q101 GGApplicationsS Automotive Engine Control D-PAKTO-252S(TO-252) PowerTrain Management Solenoid and Motor Drivers Integrated Start

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MOSFET N-Channel,POWERTRENCH)80 V, 100 A, 4.2 mWFDD86367Featureswww.onsemi.com Typical RDS(on) = 3.3 mW at VGS = 10 V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 68 nC at VGS = 10 V, ID = 80 AD UIS Capability This Device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and is RoHSCompliantGApplications PowerTrain ManagementS Solenoid and Motor DriversN-Channel Int

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