IRFPC50LC Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFPC50LC 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Encapsulados: TO247AC
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IRFPC50LC datasheet
irfpc50lc.pdf
PD - 9.1233 IRFPC50LC HEXFET Power MOSFET Ultra Low Gate Charge Reduced Gate Drive Requirement VDSS = 600V Enhanced 30V Vgs Rating Reduced Ciss, Coss, Crss RDS(on) = 0.60 Isolated Central Mounting Hole Dynamic dv/dt Rated Repetitive Avalanche Rated ID = 11A Description This new series of Low Charge HEXFET Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge over conventional
irfpc50lcpbf.pdf
IRFPC50LC, SiHFPC50LC Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate Charge VDS (V) 600 Reduced Gate Drive Requirement Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.60 Enhanced 30 V VGS Rating RoHS* Reduced Ciss, Coss, Crss COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 84 Isolated Central Mounting Hole Qgs (nC) 18 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 36 Repetitiv
irfpc50lc sihfpc50lc.pdf
IRFPC50LC, SiHFPC50LC Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate Charge VDS (V) 600 Reduced Gate Drive Requirement Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.60 Enhanced 30 V VGS Rating RoHS* Reduced Ciss, Coss, Crss COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 84 Isolated Central Mounting Hole Qgs (nC) 18 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 36 Repetitive
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
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Liste
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