FDI2532 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

FDI2532 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDI2532

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 79 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 615 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: TO-262AB

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FDI2532 datasheet

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August 2002 FDB2532 / FDP2532 / FDI2532 N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 79A, 16m Features Applications rDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 33A DC/DC converters and Off-Line UPS Qg(tot) = 82nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode High Voltage S

..2. Size:275K fairchild semi
fdb2532 fdp2532 fdi2532.pdf pdf_icon

..3. Size:255K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor FDI2532 FEATURES Drain Current I = 79A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =150V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 16m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

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